SIHA15N65E-GE3-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源耐压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为160mΩ，在高频开关条件下仍能保持较低的导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。得益于碳化硅材料的高临界电场强度与高热导率特性，该器件具有优异的高温工作性能和快速开关响应，适用于高效率AC-DC电源、大功率DC-DC变换器及光伏逆变模块等场景，有助于提升系统功率密度并降低整体能耗。
