SIHA21N80AEF-GE3-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:13.3A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:200mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源耐压（VDSS）和13.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至200mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至!8V，具备良好的开关特性与热稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件可在高频、高温及高压环境下可靠运行，适用于开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等应用，有助于提升系统整体能效并减小体积。
