GC2M0045170D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:72A 参数2：VDSS:1700V 参数3：RDON:45mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为1700V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备72A的连续漏极电流能力，导通电阻为45mΩ，适用于高耐压、高效率的电源转换系统。碳化硅材料赋予器件出色的热稳定性和高击穿电场强度，有效降低开关损耗，提高系统能效。该MOSFET可应用于高压电源、储能系统、光伏逆变及高频开关电源等场景，为高性能电力电子设计提供可靠支持。
