CI19N120SM_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有优异的高压与高电流工作性能。器件漏极电流ID为18A，漏源击穿电压VDSS达1200V，导通电阻RDON为160mΩ，具备良好的导通损耗与开关损耗平衡特性。适用于高效率功率转换设备，在高电压工作环境与中等功率应用场景中表现出色，如新能源系统、精密电源、智能控制模块及高性能电子设备中均有广泛应用。
