IPA60R250CPXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为160mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-5V至!6V范围，确保器件在驱动信号下的可靠关断与增强型开启。采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和高频开关能力，适用于高效率电源转换拓扑，如图腾柱PFC、同步整流及高功率密度开关电源模块，有助于提升系统能效并减小散热设计负担。
