FFSB0865B-F085-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.42V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式器件，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中等功率电源系统。其正向导通压降（VF）典型值为1.42V，在高电流工作条件下仍保持较低功耗，有助于提升能效。基于碳化硅材料，该二极管具有优异的高温稳定性和极短的反向恢复时间，显著减少开关损耗。适用于高效率AC-DC与DC-DC转换电路，常见于服务器电源、通信设备电源模块、可再生能源逆变装置及高密度适配器等对热管理和转换效率有较高要求的应用场景。
