FCPF220N80-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:13.3A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:200mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和13.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至200mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定的开关操作。基于碳化硅材料的特性，器件具有优异的耐压性能和热稳定性，可有效降低开关损耗。典型应用包括高频率直流-直流变换器、高压电源模块、可再生能源发电系统的逆变电路以及高密度电源适配器等，适合对功率密度和转换效率有较高要求的场景。
