PCDB1065G1_R2_00001_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.51V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管为独立式设计，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，适用于较高功率等级的电力转换电路。其正向压降（VF）为1.51V，在高温与高频率工作环境下仍保持稳定的电气性能。采用碳化硅材料，具备优异的热导率和耐压能力，可显著降低开关损耗并提升系统能效。适用于高效率开关电源、太阳能逆变装置、高密度DC-DC转换器等应用，支持在高温及高应力电气条件下持续可靠运行，满足对功率密度与热管理要求较高的系统设计需求。
