PCDD1065G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252N-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.37V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）低至1.37V，具备优异的导通效率。得益于碳化硅材料特性，器件具有极快的开关速度与极低的反向恢复电荷，可有效减少开关损耗。其高温工作性能稳定，适用于高功率密度电源设计，常见于高效能开关电源、大功率充电设备、可再生能源发电系统中的逆变与整流单元，以及不间断电源和高密度DC-DC转换模块，有助于提升整体系统效率并降低热管理复杂度。
