BSDH10G65E2-HXY_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.38V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），在高负载条件下仍能保持稳定性能。其正向压降（VF）低至1.38V，有效降低导通损耗，提升整体能效。基于碳化硅材料特性，该器件支持更高的工作温度与开关频率，适用于高密度电源转换场景，如高效开关电源、光伏逆变系统及高压直流配电模块，有助于减小无源元件体积并提高系统功率密度。
