FFSB0865A-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263N 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.42V 参数4：二极管配置:独立式 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款碳化硅二极管采用独立式配置，具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.42V。其基于碳化硅材料的特性，展现出优异的开关性能与高温工作稳定性，反向恢复时间极短，能量损耗低。该器件适用于高效率电源转换场合，如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器等，能够有效提升系统整体能效，并支持更高频率的工作模式，有助于减小外围滤波元件的体积与系统整体尺寸。
