SIHA24N80AE-GE3-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:24.9A 参数2：VDSS:900V 参数3：RDON:110mR 参数4：VGS:VGS:-4/+18VV 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备900V的漏源电压（VDSS）和24.9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至110mΩ，适用于高电压、大电流的功率转换场景。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，显著提升器件的开关速度与耐温性能，减少开关损耗。其高效率与高频率工作能力适用于高压直流变换、大功率电源模块及对热管理要求较高的电力电子系统，适合在紧凑型高功率密度设计中实现更优的能效表现。
