HXY40N02DF_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:40A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:6.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30A的连续漏极电流（ID）和20V的漏源电压（VDSS）额定值，适用于中等功率的电源开关应用。其低至6.3mΩ的导通电阻（RDON）有助于减少导通损耗，提升系统效率。栅源电压（VGS）最大为±12V，支持标准逻辑电平驱动，便于与控制电路配合使用。该器件适用于各类电源管理、直流-直流转换、负载开关及电池供电设备中的功率控制，是实现高效能电子开关的常用选择。
