KSD882YSTU-HXY_TO-126_三极管(BJT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-126 类别：三极管(BJT) 最小包装：500/袋装 参数1：IC:3A 参数2：VCEO:30V 参数3：TYPE:NPN 参数4：HFE:200-300 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该NPN型三极管额定集电极电流（IC）为3A，集电极-发射极击穿电压（VCEO）达30V，具备较高的电压承受能力，适用于中等功率放大与开关电路。其直流电流增益（HFE）在200至300之间，表现出稳定的电流放大特性。器件可用于电源控制、电机驱动、信号切换及模拟放大电路，适合在消费类电子产品、家用设备、通信装置及便携式电子系统中作为核心开关或放大元件，满足对性能与可靠性要求较高的应用场景。
