AOZ8S507BDS-07_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:8A 参数2：电压VRWM:7V 参数3：CJ:20pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）为电子设备提供稳健的瞬态电压抑制，其IPP高达8A，能够有效应对较大的瞬时电流冲击。工作电压VRWM为7V，适用于低电压应用环境中的保护需求。器件具有20pF的低电容CJ，确保在保护的同时不影响信号完整性，适合高速数据线路使用。单通道LINE设计简化了集成过程，而Bi双向TYPE特性允许它在电路中正反向均能发挥保护作用。该保护器件特别适用于需要可靠防护的各种消费类电子产品和通信接口，确保设备在面对静电放电和瞬态过压事件时的安全与稳定运行。
