HSGL160N60UFDTU_TO-264_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-264 类别：IGBT管/模块 最小包装：24/管装 参数1：电流IC:160A 参数2：电压VCE:600V 参数3：VCE(Sat):1.4V 参数4：二极管正向电流:1.4A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款IGBT（绝缘栅双极晶体管）具有600V的集射极击穿电压(VCES)，可在高达160A的集电极电流(Ic)下工作，最大功率(Pd)为250W。其栅极阈值电压(Vge(th))在15V、80A条件下仅为2.6V，确保了低驱动损耗和快速开关性能。适用于高性能电源管理、电机控制以及其他需要高电压和大电流处理能力的应用场合。
