IKW40N120CS6-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:40A 参数2：电压VCE:1200V 参数3：VCE(Sat):1.7V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为IGBT模块，具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适合高电压和较高电流环境下运行。在导通状态下，集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V，有助于降低功率损耗并提高系统效率。内置二极管可承受40A的正向电流(IF)，其正向压降(Vf)为1.85V，可在高频开关和整流应用中提供稳定性能。该模块适用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备设计，如智能电网、新能源变换装置及精密电机控制等领域。
