MLG75T65FDK_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:75A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。模块内置二极管，可支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升了整体能效与稳定性。该器件适合用于需要高效能、高可靠性的电力转换设备中，如电源系统和储能装置。
