YGW50N65T1_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:50A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.6V 参数4：二极管正向电流:1.85A 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该IGBT管/模块具备集电极电流（Ic）50A与集射极击穿电压（Vces）650V的参数特性，适用于较高功率和电压的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗并提升整体效率。内部集成二极管支持正向电流（IF）50A，正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的续流能力和稳定性。该器件适合用于电源变换、电机驱动等对性能和可靠性有较高要求的电子系统中。
