STGWA100H65DFB2-HXY_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：电流IC:100A 参数2：电压VCE:650V 参数3：VCE(Sat):1.45V 参数4：二极管正向电流:1.55A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款IGBT管/模块具备100A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可适用于较高功率的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.45V，有助于减小导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持100A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.55V，具备较强的续流能力与稳定性。该器件适合用于各类高效功率转换设备中的开关控制与能量调节应用，参数设计兼顾性能与可靠性需求。
