HXY4N65F_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:4A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:2400mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N型场效应管具有4A的电流承载能力，最大承受电压为650V。其内阻典型值为2400mΩ，VGS为30V。适用于需要高电流、高电压且对效率有要求的应用场景，例如电源管理、马达驱动等，确保系统的稳定运行与高效性能。
