HXYG50H06NF_DFN5X6B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:35A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款场效应管采用NN型结构，适用于高电流、低内阻应用场景。其最大电流为35A，额定电压60V，典型内阻11mΩ，栅源极电压VGS为20V。该元器件具有优良的性能和稳定性，可广泛应用于各类电子系统，确保电路高效运行。
