HXY120P03D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.7mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款场效应管采用P型设计，适用于高电流、低电压的应用场景。其最大电流可达120A，额定电压为30V，内阻典型值为3.7mΩ，栅源极电压VGS为20V。该元器件具有优良的性能和稳定性，可广泛应用于各类电子系统。
