4N65F_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:4A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:2400mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款场效应管，电流为4A，电压650V，内阻典型值2400mR。VGS为30，类型为N型。适用于多种电子产品，在较低电流和特定电压环境下工作。较高内阻虽会产生一定功耗，但可满足特定小功率场景需求，确保电路稳定运行。
