IRF830PBF_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:4.5A 参数2：电压VDSS:500V 参数3：RDON:1200mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备了4.5A的连续电流承载能力，最大漏源电压VDSS可达500V，提供了一种可靠的高电压解决方案。其导通电阻RDSS仅为1.2Ω，在保证高效能的同时，有助于减少功耗发热，提升了整体系统的效率。该MOSFET的栅源电压VGS最高可承受±30V，增强了电路设计的灵活性，适用于多种通用电子设备中的电源管理和信号处理环节，如便携式电子产品、家用电器及消费类设备中作为开关或放大组件。
