HXY20P09MI_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:9A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:13mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
【HXY20P09MI 场效应管】采用SOT-23-3L封装，提供高效能的开关解决方案。该MOSFET最大漏极电流达9A，击穿电压为20V，导通电阻仅为13mΩ，确保了低损耗与高稳定性。其栅极阈值电压为12V，适用于要求严苛的应用场景，如电源管理及信号处理等。类型为P沟道，适合多种电路设计需求。选购HXY20P09MI，体验卓越性能与可靠性的完美结合。
