HXY80N06BD_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
HXY80N06BD 场效应管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封装，提供 80A 的连续漏极电流 (ID) 和 60V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。其导通电阻 (RDON) 低至 6.5mΩ，有效减少热量产生，提高工作效率。±20V 的栅源电压 (VGS) 范围，确保在多种电路配置中稳定运行。N 沟道设计，适用于广泛的电路保护和开关控制应用。选择 HXY80N06BD，为您的项目增添高性能保障。
