HXY3415BI_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:30mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
HXY3415BI 场效应管 (MOSFET)，采用 SOT-23 封装，提供 5A 的连续漏极电流 (ID) 和 20V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。其导通电阻 (RDON) 为 30mΩ，有助于减少功率损耗。±10V 的栅源电压 (VGS) 范围，确保在各种电路中稳定运行。P 沟道设计，适用于广泛的应用场合。选择 HXY3415BI，享受其带来的高效与可靠。
