HXY50N20P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:200V 参数3：RDON:50mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
【HXY50N20P 场效应管(MOSFET)】采用TO-220C封装，支持50A的最大漏极电流和200V的漏源电压，导通电阻为50mΩ。此N沟道MOSFET在20V栅源电压下具有出色的开关性能和低损耗特性，广泛适用于电源转换、电路控制等应用，确保高效能与高可靠性。
