HD6355_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:9.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
【HD6355 场效应管(MOSFET)】采用TO-252-2L封装，支持高达50A的漏极电流与30V的漏源电压，具有9.5mΩ的低导通电阻。此P沟道MOSFET在20V栅源电压下表现出色，适合用于高效电源管理和信号控制电路中，是追求高性能与可靠性的优选元件。
