HXY40P06DF_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:24mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
【HXY40P06DF 场效应管(MOSFET)】采用DFN3X3-8L封装，支持40A的最大漏极电流和60V的漏源电压，导通电阻仅为24mΩ。此P沟道MOSFET在20V栅源电压下表现出色的开关性能，适用于各种电源管理和信号控制应用，确保电路的高效与稳定。
