HXY160N03D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:160A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:1.6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
【HXY160N03D 场效应管(MOSFET)】采用TO-252-2L封装，支持160A的最大漏极电流和30V的漏源电压，导通电阻低至1.6mΩ。在20V栅源电压下，该N沟道MOSFET展现出优异的开关特性和低损耗，适用于高效电源管理和信号处理电路，确保电路的高性能和稳定性。
