HXY3402BI_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SOT-23 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:3000/圆盘 参数1:电流ID:2A 参数2:电压VDSS:30V 参数3:RDON:86mR 参数4:沟道类型:N 标价:欢迎咨询
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产品介绍
HXY3402BI 场效应管 (MOSFET),采用 SOT-23 封装,提供 2A 的连续漏极电流 (ID) 和 30V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。具备 86mΩ 的导通电阻 (RDON),有助于降低功耗,提高效率。支持 ±20V 的栅源电压 (VGS),确保在不同电路条件下的稳定性和可靠性。N 沟道设计,适用于多种开关控制和电路保护应用。选择 HXY3402BI,为您的项目提供高效能保障。
