HXY80P06D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
【HXY80P06D 场效应管(MOSFET)】采用TO-252-2L封装，支持高达80A的漏极电流和60V的漏源电压，低至11mΩ的导通电阻确保了高效的电力传输。作为一款P沟道MOSFET，它在20V栅源电压下展现出优秀的开关特性和低损耗，非常适合应用于精密的电源控制和转换电路中。
