HXY130N04NF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:130A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
HXY100N04NF 场效应管 (MOSFET)，采用 DFN5X6-8L 封装，提供 100A 的连续漏极电流 (ID) 和 40V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。其导通电阻 (RDON) 低至 2.8mΩ，有助于显著降低功耗，提高效率。支持 ±20V 的栅源电压 (VGS)，确保在多种电路中的稳定性能。N 沟道设计，适用于广泛的开关控制和电路保护应用。选择 HXY100N04NF，为您的项目提供高性能的解决方案。
