HXY30G25DF_DFN3X3B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:25A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:N+P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
【HXY30G25DF 场效应管(MOSFET)】采用DFN3X3-8L封装，支持25A的最大漏极电流和30V的漏源电压，导通电阻低至12mΩ。此N沟道MOSFET在20V栅源电压下具有优异的开关特性和低损耗，适用于各种电源管理和信号处理电路，确保电路的高效与稳定运行。
