HXYJ11N65D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:22A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:380mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
【HXYJ11N65D 场效应管(MOSFET)】采用TO-252-2L封装，支持22A的最大漏极电流和650V的漏源电压，导通电阻为380mΩ。此N沟道MOSFET在30V栅源电压下具有优良的开关性能和耐高压特性，适用于各种高效率电源转换和电路控制应用，确保电路运行的稳定性和可靠性。
