C2M0040120D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管具有55A的电流承载能力和1200V的电压耐受性，内阻典型值为40mR。其VGS为18V，属于N型。适用于高效能电子系统，如数据中心、可再生能源转换及高性能动力系统，确保稳定运行并提升能效。
