C2M0160120K_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:19A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款碳化硅场效应管具有19A的电流承载能力，最高1200V的电压耐受性，内阻典型值为160mR。其VGS为20V，属于N型场效应管。适用于高效能电源管理以及各种对高温、高频性能有严格要求的场景。
