C2M0080120K_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:36A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管具有36A的电流承载能力，可承受高达1200V的电压。其内阻典型值为80mR，栅源极电压VGS为20V，属于N型。适用于高效能电源和运动控制等应用，提升系统稳定性和效率。
