C3M0060065K_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管具有29A的电流承载能力，650V的耐压特性，内阻典型值为60mR。其VGS为15V，属于N型。适用于高效能、高温及高频率的应用场景，如数据中心、可再生能源转换及储能系统，确保系统稳定运行，提升能效。
