HC2M0650170D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:7A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:650mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）设计有7A的最大连续电流（ID），并且能够承受高达1700V的漏源电压（VDSS）。尽管其导通电阻（RDON）为650毫欧，较高的耐压特性使其成为高压应用的理想选择。适用于需要在高压环境下稳定运行的电力转换电路，如便携式电子产品充电管理或消费类电子产品中的电源管理系统，为复杂电路提供可靠的保护和控制。
