SCTW100N65G2AG_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有卓越的性能，支持高达 120A 的连续 drain 电流（ID），同时具备 650V 的漏源电压（VDSS）耐受能力。其导通电阻（RDSON）仅为 15毫欧，有助于显著降低功耗。器件的栅源电压（VGS）为 15V，这使得它能够在多种高频逆变和其他电源转换应用中发挥优异表现，提升整体系统的能效比。
