SCTWA40N120G2V-4_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:32A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，最大导通电流（ID/A）为32A，适用于处理较高功率需求的应用。器件设计支持高达1200V的最大漏源电压（VDSS/V），增强了在高压环境下的可靠性。其导通电阻（RDSON/mR）为75毫欧姆，有助于降低系统功耗，提高整体效率。栅源电压（VGS/V）为±15V，简化了驱动电路的设计。该MOSFET是构建稳健且高效能电路的理想选择。
