NTHL075N065SC1_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流（ID/A）可达29A，在保证安全运行的同时，能够承受的最大漏源电压（VDSS/V）为650V。该元件具有较低的导通电阻（RDSON/mR），仅为60毫欧姆，在高频率开关应用中可以减少能量损耗。栅源电压（VGS/V）绝对值范围为15V，确保了良好的驱动兼容性。此MOSFET适用于需要高效能和可靠性的多种电路设计场景。
