TW083Z65C_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:27A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
碳化硅场效应管（MOSFET）是一款基于先进材料技术的高性能开关元件，适用于高效率电力转换应用。该N沟道器件的最大 drain-source 持续电流（ID）可达27安培，支持650伏特的drain-source击穿电压（VDSS），确保在高压环境中稳定工作。其导通电阻（RDON）低至60毫欧，在降低传导损耗的同时提高了能量转换效率。器件的工作栅源电压（VGS）范围为-8至!9伏特，提供了宽泛的操作灵活性。碳化硅MOSFET凭借其优异的电气特性，非常适合用于紧凑型电源供应器、可再生能源系统以及需要高效能和快速响应的电子设备中。
