NTHL1000N170M1_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:1700V 参数3：RDON:1000mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备5A的连续漏极电流（ID/A），最大可承受1700V的漏源击穿电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）为1000毫欧姆，在栅源电压（VGS/V）为20V时提供稳定的性能。此器件适用于需要高电压隔离与快速开关特性的电力转换解决方案中，如高性能的电源管理系统或便携式电子设备的充电解决方案，能够在保证低能耗的同时，支持更紧凑的设计要求。
