TW060Z120C_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:117A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管(MOSFET)为N沟道类型，具有117A的连续漏极电流能力和高达1200V的漏源电压耐受性。其导通电阻仅为33毫欧姆，有助于减少能量损耗和提高系统效率。栅源电压范围从-4V到!8V，适用于要求高功率密度和快速开关速度的应用场合。此MOSFET以其出色的热性能和可靠性，在需要高效能转换解决方案的领域表现出色。
