TW140N120C,S1F_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:17A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备17A的最大漏极电流（ID），并且能够承受高达1200V的漏源电压（VDSS），适合应用于需要高电压稳定性的电路设计中。其导通电阻（RDSON）为160毫欧，有助于减少能量损失。该器件的栅源电压（VGS）工作范围是-4V至!8V，提供了灵活的操作区间。凭借其出色的电气性能，此碳化硅MOSFET是实现高效电源转换及精密控制的理想选择，在多种电子设备中均能发挥关键作用。
