NTHL022N120M3S_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:115A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:16mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有高达115A的连续电流（ID）承载能力，并能在断态下承受最大1200V（VDSS）的电压。其低导通电阻（RDSON）仅为16毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗。器件设计支持最高15V的栅源驱动电压（VGS），适用于要求高性能、高效率及高压操作的电子设备，例如在高频开关电源或可再生能源系统中的电力调节模块。
